Технологические приемы создания интерпозеров на основе однослойных и двухслойных Al2O3-пластин с имплантированной системой алюминиевых переходных элементов
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Технологические приемы создания интерпозеров на основе однослойных и двухслойных Al2O3-пластин с имплантированной системой алюминиевых переходных элементов
|
|
| Автор |
Шиманович, Д. Л.
|
|
| Описание |
The technological methods and regimes of interposers formation based on single-layer and double-layer membrane alumina plates with a system of aluminum passive elements, conductive interconnections and through transition elements built inside the dielectric body, obtained by local one-sided and two-sided through thickness anodizing using additional bipolar anodizing, were studied and optimized. Single-layer and double-layer interposers with dimensions of 12×12 mm and 10×10 mm, respectively, were fabricated. It was shown that the thickness of Al2O3 interposers can be changed from ~30 to ~100 μm in terms of design and technology. It was demonstrated that the thickness of implanted Al conductors can be from ~5 to ~100 μm, and different depths of their location inside Al2O3 membrane plates are possible.
|
|
| Дата |
2024-01-23T11:03:45Z
2024-01-23T11:03:45Z 2023 |
|
| Тип |
Working Paper
|
|
| Идентификатор |
Шиманович, Д. Л. Технологические приемы создания интерпозеров на основе однослойных и двухслойных Al2O3-пластин с имплантированной системой алюминиевых переходных элементов / Д. Л. Шиманович // Новые горизонты - 2023 : сборник материалов X Белорусско-Китайского молодежного инновационного форума, 9-10 ноября 2023 года / Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2023. – Т. 1. – С. 38-39.
https://rep.bntu.by/handle/data/139768 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|