Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры
|
|
| Автор |
Плющевский, И. А.
Черный, В. В. |
|
| Дата |
2018-09-06T06:50:19Z
2018-09-06T06:50:19Z 2018 |
|
| Тип |
Working Paper
|
|
| Идентификатор |
Плющевский, И. А. Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры / И. А. Плющевский, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 371.
https://rep.bntu.by/handle/data/47185 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|