Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Control of local stress in semiconductor silicon structures |
|
| Автор |
Сенько, С. Ф.
Зеленин, В. А. |
|
| Тематика |
Полупроводниковые структуры
Оптическая топография Остаточные напряжения Методы контроля Semiconductor structures Makyoh topography Residual stress Methods of measurements |
|
| Описание |
Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и выход годных приборов. В связи с этим их исследование является одной из актуальных задач современного приборостроения. Цель настоящей работы заключалась в разработке методов оценки фактического распределения остаточных напряжений как по площади полупроводниковой структуры, так и в ее элементах. Оценку распределения остаточных напряжений по площади структуры проводили на основе определения локальной деформации отдельных участков этой структуры методом оптической топографии. В основу методики положено последовательное измерение интенсивности элементов светотеневого изображения структуры вдоль выбранного направления с последующим расчетом микрогеометрического профиля и радиуса кривизны. Оценку остаточных напряжений в топологических элементах системы Si–SiO₂ проводили путем расчета интерференционных картин, полученных в зазоре пленка−подложка после отделения края пленки от подложки по периметру вскрытого окна. С привлечением метода конечных элементов получены аналитические выражения, связывающие характеристики изображений полупроводниковых структур с величиной их деформации, что позволяет с привлечением известных соотношений вычислить локальные механические напряжения выбранного участка структуры. Приведены примеры расчета реальных структур. Предложенные методики расчета остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах позволяют учитывать характер и форму изгиба подложек, а также оценить их величину в топологических элементах реальных полупроводниковых приборов.
|
|
| Дата |
2018-09-18T09:22:40Z
2018-09-18T09:22:40Z 2018 |
|
| Тип |
Article
|
|
| Идентификатор |
Сенько, С. Ф. Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах = Control of local stress in semiconductor silicon structures / С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. - 2018. – Т. 9, № 3. – С. 254-262.
https://rep.bntu.by/handle/data/47617 10.21122/2220-9506-2018-9-3-254-262 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|