Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor |
|
| Автор |
Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Турцевич, А. С. Шведов, С. В. Филипеня, В. А. Черный, В. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. Дубровский, В. А. |
|
| Тематика |
МОП-транзисторы
|
|
| Описание |
Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.
|
|
| Дата |
2019-02-04T11:21:34Z
2019-02-04T11:21:34Z 2014 |
|
| Тип |
Article
|
|
| Идентификатор |
Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора = Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor / А. Н. Петлицкий [и др.] // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларусi. Серыя фiзiка-тэхнiчных навук = Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук. – 2014. – № 4. – С. 14-17.
https://rep.bntu.by/handle/data/49430 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|