Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях
|
|
| Автор |
Гацкевич, Е. И.
Малевич, В. Л. |
|
| Дата |
2019-10-04T11:25:46Z
2019-10-04T11:25:46Z 2018 |
|
| Тип |
Научный доклад (Working Paper)
|
|
| Идентификатор |
Гацкевич, Е. И. Зонная структура тонкоплёночного Ge при лазерно-индуцированных напряжениях / Е. И. Гацкевич, В. Л. Малевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2018. - Т. 3. - С. 381.
http://rep.bntu.by/handle/data/57579 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|