Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления
|
|
| Автор |
Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Пилипенко, В. А. Просолович, В. С. Филипеня, В. А. Черный, В. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
|
| Дата |
2020-01-03T09:44:13Z
2020-01-03T09:44:13Z 2019 |
|
| Тип |
Научный доклад (Working Paper)
|
|
| Идентификатор |
Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
https://rep.bntu.by/handle/data/62216 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|