Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance |
|
| Автор |
Горбачук, Н. И.
Поклонский, Н. А. Марочкина, Я. Н. Шпаковский, С. В. |
|
| Описание |
Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов катушек индуктивности. Цель работы – установить влияние экстракции неравновесных носителей заряда из базовой области на реактивный импеданс биполярного p–n–p-транзистора. Методом импедансной спектроскопии в интервале частот 20 Hz–30 MHz исследованы структуры на базе p–n–p-транзисторов КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». Показано, что в транзисторных структурах возможно наблюдение «эффекта отрицательной ёмкости» (импеданс индуктивного типа). Установлено, что наиболее вероятной причиной возникновения импеданса индуктивного типа является накопление нескомпенсированного заряда дырок в базе, а на величину индуктивного импеданса влияет как эффективность инжекции в переходе база–эмиттер, так и эффективность экстракции в переходе база–коллектор. Результаты работы могут быть использованы при разработке технологий формирования элементов интегральных микросхем на основе кремния с импедансом индуктивного типа.
|
|
| Дата |
2020-01-08T07:25:28Z
2020-01-08T07:25:28Z 2019 |
|
| Тип |
Статья (Article)
|
|
| Идентификатор |
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс = Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance / Н. И. Горбачук [и др.] // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2019. – Т. 10, № 4. – С. 322-330.
https://rep.bntu.by/handle/data/62296 10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|