Природа деградации полупроводниковых лазеров с электронным накачиванием энергии. Теоретические предпосылки
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Природа деградации полупроводниковых лазеров с электронным накачиванием энергии. Теоретические предпосылки
Nature of Degradation in Semiconductor Lasers with Electronic Energy Pumping. Theoretical Background |
|
| Автор |
Гаркавенко, В. А.
Мокрицкий, А. С. Маслов, О. В. Соколов, А. В. |
|
| Описание |
В статье отмечено, что при достижении определенных критических значений плотности мощности лазерного излучения в полупроводниковых лазерах с электронным накачиванием энергии, изготовленных из монокристаллов ряда соединений, имеет место катастрофическая деградация. Она сопровождается механическим разрушением поверхности торцов резонатора, необратимым падением мощности излучения и увеличением порога генерации. Причем при катастрофической деградации полупроводниковых лазеров под действием собственного излучения в монокристалле происходят существенные изменения кристаллической структуры: плотность дислокаций достигала более 1012–1015 см–2. Показано, что исходная плотность дислокаций и критическая плотность мощности собственного излучения обратно пропорциональны. Таким образом, процесс деградации полупроводниковых лазеров прямо связан с генерацией и размножением дислокаций во время работы лазера. При критических значениях мощности лазерного излучения и плотности дислокаций происходит механическое разрушение кристаллической решетки кристалла. Для выяснения предложенного механизма деградации полупроводниковых лазеров необходимо учесть влияние дислокаций на оптические свойства полупроводников. Обычно это влияние рассматривается следующим образом. Дислокации вызывают появление поля локальных деформаций и, кроме того, образуют области пространственного заряда, которые окружают ядро дислокации в виде заряженной трубки. Предлагается модель исследуемого явления: в ядре дислокации возникают большие напряжения, ведущие к смещению отдельных атомов и деформации решетки кристалла. Деформация решетки в ядре дислокации приводит к локальному изменению ширины запрещенной зоны. Это изменение порядка 10–2 эВ для винтовой дислокации и 10–1 эВ для краевой. Механизм данного изменения состоит в том, что упомянутая деформация приводит к множественному разрыву электронных связей и увеличению в ядре дислокации концентрации электронов примерно до 1018 см–3. Разработанная аналитическая модель механизма деградации позволит производить выбор полупроводника и оценку режима работы лазера в условиях повышенной мощности излучения.
|
|
| Дата |
2020-08-04T10:51:26Z
2020-08-04T10:51:26Z 2020 |
|
| Тип |
Статья (Article)
|
|
| Идентификатор |
Природа деградации полупроводниковых лазеров с электронным накачиванием энергии. Теоретические предпосылки = Nature of Degradation in Semiconductor Lasers with Electronic Energy Pumping. Theoretical Background / В. А. Гаркавенко [и др.] // Наука и техника. – 2020. – № 4. – С. 311-319.
https://rep.bntu.by/handle/data/77412 10.21122/2227-1031-2020-19-4-311-319 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БНТУ
|
|