Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей
Электронный научный архив УРФУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей
|
|
| Автор |
Туленин, С. С.
Марков, В. Ф. |
|
| Описание |
Показана перспективность In2S3 как широкозонного буферного слоя для солнечных преобразователей. Лучшими характеристиками среди различных гетероструктур обладает PbS-In2S3.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 11-03-00063-а). |
|
| Дата |
2024-04-01T11:58:05Z
2024-04-01T11:58:05Z 2014 |
|
| Тип |
Conference Paper
Conference object (info:eu-repo/semantics/conferenceObject) Published version (info:eu-repo/semantics/publishedVersion) |
|
| Идентификатор |
Туленин С. С. Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей / С. С. Туленин, В. Ф. Марков. — Текст: непосредственный // Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов II научно-технической конференции магистрантов и аспирантов ведущих университетов России, 4-8 ноября 2014 года. — Екатеринбург: УрФУ, 2014. — С. 263-265.
http://elar.urfu.ru/handle/10995/130098 |
|
| Язык |
en
|
|
| Связанные ресурсы |
Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов конференции. — Екатеринбург, 2014
|
|
| Формат |
application/pdf
|
|
| Издатель |
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина
|
|