Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твердых растворов системы AgBr 0,7I0,3 - AgCl (варианты)
Электронный научный архив УРФУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твердых растворов системы AgBr 0,7I0,3 - AgCl (варианты)
Method for Growing Silver Halide Single Crystals Based on Solid Solutions of AgBr0.7I0.3 - AgCl System (Variants) |
|
| Автор |
Жукова, Л. В.
Шатунова, Д. В. Салимгареев, Д. Д. Южакова, А. А. Львов, А. Е. Корсаков, А. С. Zhukova, L. V. Shatunova, D. V. Salimgareev, D. D. Iuzhakova, A. A. Lvov, A. E. Korsakov, A. S. |
|
| Тематика |
ПАТЕНТ
ИЗОБРЕТЕНИЕ PATENT INVENTION C30B 11/02 C30B 29/12 C30B 33/02 |
|
| Описание |
FIELD: optical materials. SUBSTANCE: invention can be used in the manufacture of optical materials that are resistant to ionizing radiation, which are plastic, non-toxic, non-hygroscopic and highly transparent at the level of theoretical values in the visible, infrared and terahertz ranges, intended for laser technology, medicine, IR fiber and terahertz optics, optoelectronics and photonics. First, using the basic hydrochemical method of thermozone crystallization, a mixture is obtained based on salts of single-phase solid solutions with a purity of cationic impurities of 99.9999 wt.%. The mixture is then loaded into a Pyrex glass ampoule with a hole in the conical part and placed above the ampoule for growing single crystals. Both ampoules are placed in the upper part of the installation, which implements the vertical Bridgman method, where the charge is melted, the melt is dripped into the ampoule for growing single crystals, kept for an hour and the ampoule is moved to the lower zone with a reduced temperature at a speed of 0.5–1.0 mm/h for the formation of single crystals based on a single-phase solid solution. To form a perfect structure of a single crystal based on a single-phase solid solution of the cubic system of structural type NaCl, annealing is carried out in the installation at 100°C for 20 hours. The method of growing silver halide single crystals based on solid solutions of the AgBr0.7I0.3 – AgCl system is carried out in two variants. According to the first option, a high-purity dispersed single-phase charge is obtained based on a solid solution of AgBr0.7I0.3, additionally containing a solid solution of AgCl0.18Br0.58I0.24,at the ratio, mol.%: AgBr0.7I0.3 98.0–82.0; AgCl0.18Br0.58I0.24 2.0–18.0, melted at 410–430°C, and movement at the above speed is carried out to the lower zone of the installation, which has a temperature of 290–310°C. According to the second option, a high-purity dispersed single-phase charge is obtained based on a solid solution of AgCl, additionally containing a solid solution of AgCl0.73Br0.19I0.08,at the ratio, mol.%: AgCl 98.0–73.0; AgCl0.73Br0.19I0.08 2.0–27.0, melted at 430–490°C, and movement at the above speed is carried out to the lower zone of the installation, which has a temperature of 290–350°C. The phase diagram of the AgBr0.7I0.3 - AgCl system was studied for the first time. EFFECT: resulting silver halide single crystals are resistant to ionizing radiation and transparent in the spectral range from 0.4 to 50.0 microns without absorption windows due to the content of crystals of heavy molecular weight silver iodide in their composition, they have high plasticity and resistance to moisture; products based on them are non-toxic. 2 cl, 1 dwg, 3 ex.
Изобретение может быть использовано при изготовлении оптических материалов, устойчивых к ионизирующему излучению, являющихся пластичными, нетоксичными, негигроскопичными и высокопрозрачными на уровне теоретических значений в видимом, инфракрасном и терагерцовом диапазонах, предназначенных для лазерной техники, медицины, ИК волоконной и терагерцовой оптики, оптоэлектроники и фотоники. Сначала базовым гидрохимическим методом термозонной кристаллизации получают шихту на основе солей однофазных твёрдых растворов чистотой по катионным примесям 99,9999 мас.%. Затем шихту загружают в ампулу из стекла пирекс с отверстием в конусной части и помещают ее над ампулой для выращивания монокристаллов. Обе ампулы размещают в верхней части установки, реализующей вертикальный метод Бриджмена, где шихту расплавляют, прокапывают расплав в ампулу для выращивания монокристаллов, выдерживают в течение часа и перемещают ампулу в нижнюю зону с пониженной температурой со скоростью 0,5–1,0 мм/ч для формирования монокристаллов на основе однофазного твердого раствора. Для формирования совершенной структуры монокристалла на основе однофазного твёрдого раствора кубической сингонии структурного типа NaCl в установке проводят отжиг при 100°С в течение 20 ч. Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твёрдых растворов системы AgBr0,7I0,3 – AgCl осуществляют в двух вариантах. По первому варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgBr0,7I0,3, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,18Br0,58I0,24,при соотношении, мол. %: AgBr0,7I0,3 98,0–82,0; AgCl0,18Br0,58I0,24 2,0–18,0, расплавляют её при 410–430°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–310°С. По второму варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgCl, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,73Br0,19I0,08, при соотношении мол.%: AgCl 98,0–73,0; AgCl0,73Br0,19I0,08 2,0–27,0, расплавляют её при 430–490°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–350°С. Впервые изучена фазовая диаграмма системы AgBr0,7I0,3 - AgCl. Полученные галогенидсеребряные монокристаллы устойчивы к ионизирующим излучениям и прозрачны в спектральном диапазоне от 0,4 до 50,0 мкм без окон поглощения за счёт содержания в их составе кристаллов тяжёлого по молекулярной массе йодида серебра, обладают высокой пластичностью и устойчивостью к влаге. Изделия на их основе нетоксичны. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр. |
|
| Дата |
2024-05-21T07:20:26Z
2024-05-21T07:20:26Z 2023-11-14 |
|
| Тип |
Patent
Patent (info:eu-repo/semantics/patent) |
|
| Идентификатор |
2023103088
http://elar.urfu.ru/handle/10995/134613 56009364 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Связанные ресурсы |
https://www.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2807428&TypeFile=html
|
|
| Формат |
application/pdf
|
|