Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе
Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 19981097 |
|
| Автор |
Жоховец, С. В.
Жоховец, Л. В. Герасимович, А. А. Пьех, С. Б. |
|
| Создатель |
Доманевский, Д. С.
|
|
| Описание |
Объектом исследования являются свойства эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Цель работы — получение новой информации о диэлектрической функции и электрооптических свойствах эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Методами спектроскопической эллипсометрии, отражения, электро- и фотоотражения и фотолюминесценции исследованы слои гексагональных и кубических нитридов, осажденных молекулярно-пучковой эпитаксией на подложки 6H-SiC, Si (111), GaAs и сапфира. Разработана методика комплексной характеризации слоев на основе измерений отражательной способности при нормальном падении света, включая определение шероховатости поверхности и параметров промежуточного слоя пленка-подложка. Определена диэлектрическая функция и энергии критических точек зонной структуры кубического InxGa1-xN как функции состава в области 0=< х =< 0.15. Проведено моделирование и экспериментально изучено влияние поверхностных и промежуточных слоев на эффекты оптической анизотропии гексагональных нитридов. Теоретически и экспериментально исследованы линейный и квадратичный электрооптический эффекты и эффект Франца-Келдыша в системе электролит-полупроводник. Экономический эффект связан с получением новой информации о физических свойствах и параметрах слоев GaN и SiC и низкоразмерных структур на их основе, что необходимо для проектирования и опытно-конструкторских разработок различных оптоэлектронных приборов на этих материалах.
|
|
| Дата |
2024-01-26T12:56:15Z
2024-01-26T12:56:15Z 2000 |
|
| Тип |
Technical Report
|
|
| Идентификатор |
Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе [Электронный ресурс] : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 19981097 / Белорусская государственная политехническая академия ; рук. Д. С. Доманевский ; исполн.: С. В. Жоховец [и др.]. – Минск : [б. и.], 2000.
https://rep.bntu.by/handle/data/140519 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|