Осаждение барьерных (антидиффузионных) слоёв для термоэлектрических модулей на основе алмазоподобных углеродных плёнок
Электронный архив ТПУ
Информация об архиве | Просмотр оригиналаПоле | Значение | |
Заглавие |
Осаждение барьерных (антидиффузионных) слоёв для термоэлектрических модулей на основе алмазоподобных углеродных плёнок
|
|
Автор |
Елгин, Юрий Игоревич
|
|
Создатель |
Гренадёров, Александр Сергеевич
|
|
Тематика |
алмазоподообные углеродные
углерод покрытия магнетронная распылительная система твердость тонкие пленки diamond-like carbon carbon coatings magnetron sputtering system hardness thin films 16.03.01 539.216.2:666.23:621.23 |
|
Описание |
Выпускная квалификационная работа 77 с., 13 рис., 17 табл., 39 источников. Объектом исследования являются алмазоподобные углеродные покрытия, полученные методом магнетронного распыления с использованием графитового катода. Целью работы является получение барьерных слоев для термоэлектрических модулей на основе углеродных пленок формируемых методом магнетронного распыления. В процессе работы проводилась оптимизация процесса осаждения и экспериментальные исследования полученных пленок. В результате исследования были получены углеродные пленки с удельным сопротивлением до величины 10-2 Ом•см (a-C). После включения в углеродные пленки никеля удельное сопротивление снижается до величины 10-4 Ом•см (a-C:Ni), твердость полученных покрытий составляет 4-5 Гпа, адгезионная прочность на полупровод Graduation qualification work 77 pp., 13 Fig., 17 table, 39 sources. The object of the study are diamond-like carbon coatings obtained by magnetron sputtering using a graphite cathode. The aim of the work is to obtain barrier layers for thermoelectric modules based on carbon films formed by the method of magnetron sputtering. In the course of the work, the deposition process was optimized and experimental studies of the films were carried out. As a result of the study, carbon films with specific resistivity up to 10-2 ohm-cm (a-C) were obtained. After incorporation into nickel carbon films, the resistivity decreases to 10-4 ohm-cm (a-C: Ni), the hardness of the resulting coatings is 4-5 GPa, the adhesion strength on the semiconductor substrate is 2 kg / mm2. Scope: increase the service lif |
|
Дата |
2017-06-02T08:34:32Z
2017-06-02T08:34:32Z 2017 |
|
Тип |
Students work
|
|
Идентификатор |
Елгин Ю. И. Осаждение барьерных (антидиффузионных) слоёв для термоэлектрических модулей на основе алмазоподобных углеродных плёнок : бакалаврская работа / Ю. И. Елгин ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) ; науч. рук. А. С. Гренадёров. — Томск, 2017.
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39004 |
|
Язык |
ru
|
|
Права |
Open access (info:eu-repo/semantics/openAccess)
|
|
Формат |
application/pdf
|
|