Влияние подслоя углерода и титана на свойства структуры AlN/Si и её сорбцию водорода
Электронный архив ТПУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Влияние подслоя углерода и титана на свойства структуры AlN/Si и её сорбцию водорода
|
|
| Автор |
Инь Шаньшань
|
|
| Создатель |
Никитенков, Николай Николаевич
|
|
| Тематика |
кремний (100)
имплантация подслой углерода и титана, покрытие нитрида алюминия наводороживание сорбция водорода silicon (100) implantation carbon and titanium sublayers aluminum nitride hydrogenation hydrogen sorption 03.03.02 539.23:661.86:661.571:661.68 |
|
| Описание |
Объектом исследования являлись тонкоплёночные системы нитрида алюминия (AlN) на кремнии КЭФ (100), используемые для создания водородных датчиков. До магнетронного напыления AlN кремний был имплантирован углеродом и титаном (AlN/Si, AlN/C/Si, AlN/Ti/Si). Исследовались химический состав, вольтамперные характеристики поверхности и оптическая микроскопия поверхности. На заключительно этапе полученные системы были насыщены водородом методом Сиверста. После насыщения водородом измерены и проанализированы концентрации водорода и спектры термогазовыделения водорода. Из полученных результатов сделано заключение: создание подслоя углерода при производстве датчиков водорода на основе пленки AlN приведёт к значительному увеличению времени эксплуатации этих датчиков без ухудшения их характеристик.
The object of study were thin-film systems aluminum nitride (AlN) on silicon Si(100), which are used to make hydrogen sensors. Before magnetron deposition AlN, carbon and titanium were implanted onto silicon (AlN/Si, AlN/C/Si, AlN/Ti/Si). The chemical composition, current-voltage characteristics and optical microscopy of surface were investigated. Subsequently samples were permeated with hydrogen using Seavert method. After hydrogenation, the concentrations of hydrogen were measured and thermo-gassing spectra of hydrogen were analyzed. According to results the following conclusion can be drawn: addition of a carbon sublayer at manufacture of hydrogen sensors with AlN layer will lead to a significant increase in operating time of these sensors without degradation of their characteristics. |
|
| Дата |
2017-06-08T07:48:31Z
2017-06-08T07:48:31Z 2017 |
|
| Тип |
Students work
|
|
| Идентификатор |
Инь Шаньшань Влияние подслоя углерода и титана на свойства структуры AlN/Si и её сорбцию водорода : бакалаврская работа / Инь Шаньшань ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт социально-гуманитарных технологий (ИСГТ), Кафедра междисциплинарная (МД) ; Физико-технический институт (ФТИ ТПУ) ; Кафедра общей физики (ОФ) ; науч. рук. Н. Н. Никитенков. — Томск, 2017.
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39591 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Права |
Open access (info:eu-repo/semantics/openAccess)
|
|
| Формат |
application/pdf
|
|