Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем
Электронный архив ТПУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем
|
|
| Автор |
Рогожников, Дмитрий Сергеевич
|
|
| Создатель |
Шестериков, Евгений Викторович
|
|
| Тематика |
мостовое соединение
контактная фотолитография гибридные интегральные схемы диоксид кремния оксид алюминия a bridge connection contact photolithography hybrid integrated circuits silicon dioxide aluminum oxide 16.04.01 621.382.049.776.002 |
|
| Описание |
Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения, в котором вначале формируется перемычка, затем диэлектрический слой с окнами под соединение с проводниками и формирование топологии схемы, в которой проводники соединяются с помощью мостового соединения.
Development of technology for manufacturing hidden bridge connection. The method based on the following operations: a jumper is formed, and then a dielectric layer with windows for connecting leads and forming a circuit topology in which electrical conductors are connected using a bridge junction. |
|
| Дата |
2019-06-11T02:12:18Z
2019-06-11T02:12:18Z 2019 |
|
| Тип |
Students work
|
|
| Идентификатор |
Рогожников Д. С. Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем : магистерская диссертация / Д. С. Рогожников ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Е. В. Шестериков. — Томск, 2019.
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Права |
Open access (info:eu-repo/semantics/openAccess)
|
|
| Формат |
application/pdf
|
|