Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием
Электронный архив ТПУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием
|
|
| Автор |
Федорова, Алена Игоревна
|
|
| Создатель |
Юрьев, Юрий Николаевич
|
|
| Тематика |
нитрид кремния
магнетрон показатель преломления концентрация связей Si-N ионное ассистирование осаждение silicon nitride magnetron refractive index concentration of Si-N bonds ion assisted sedimentation 03.03.02 621.385.64:661.8'042:661.681 |
|
| Описание |
В данной работе исследуется процесс магнетронного напыления нитрида кремния с использованием ионного ассистирования плазмой ВЧ разряда. Для повышения скорости напыления и минимизации влияния азота на мишень из Si реализован методы раздельного напыления когда азот подается к ВЧ источнику плазмы, а аргон к мишени.
In this work, we investigate the process of magnetron sputtering of silicon nitride using ion assisted RF discharge plasma. Separate deposition methods have been implemented where nitrogen is supplied to the RF plasma source and argon to the target to increase the deposition rate and minimize the effect of nitrogen on the Si target. |
|
| Дата |
2021-06-16T04:37:08Z
2021-06-16T04:37:08Z 2021 |
|
| Тип |
Students work
|
|
| Идентификатор |
Федорова А. И. Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием : бакалаврская работа / А. И. Федорова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Отделение экспериментальной физики (ОЭФ) ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев. — Томск, 2021.
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/67061 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Права |
Open access (info:eu-repo/semantics/openAccess)
|
|
| Формат |
application/pdf
|
|