Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях
Репозиторий БНТУ
Информация об архиве | Просмотр оригинала| Поле | Значение | |
| Заглавие |
Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях
Studies of changes in thermal resistance of high-power mosfets during thermal tests |
|
| Автор |
Бумай, Ю. А.
Васьков, О. С. Нисс, В. С. Керенцев, А. Ф. Петлицкий, А. Н. Соловьев, Я. А. |
|
| Описание |
Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследованы структура теплового сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов транзисторов КП7209, КП7128 производства ОАО Интеграл), в различных корпусах (ТО-220, ТО-252) с различными размерами кристалла. Для испытания надежности транзисторы были подвергнуты сериям по 100 термоударов в интервале температур от -196 до +200°С. Обнаружено, что основные изменения теплового сопротивления происходят в области посадки кристаллов транзисторов. Наименьшую надежность проявили транзисторы в корпусе для поверхностного монтажа ТО-252.
|
|
| Дата |
2024-06-05T08:28:08Z
2024-06-05T08:28:08Z 2018 |
|
| Тип |
Working Paper
|
|
| Идентификатор |
Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях = Studies of changes in thermal resistance of high-power mosfets during thermal tests / Ю. А. Бумай [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Международной научной конференции, Минск, 10-12 октября 2018 г. / редкол.: В. Б. Оджаев [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 26-29.
https://rep.bntu.by/handle/data/144676 |
|
| Язык |
ru
|
|
| Охват |
Минск
|
|
| Издатель |
БГУ
|
|